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Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur ŕ large bande d'énergie interdite. Ce matériau possčde des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieures ŕ celles du silicium. Les dispositifs ŕ base de ce matériau (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements ŕ haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété d'applications et de systčmes de puissance. Dans ce travail on présente des études analytiques comparatives des modčles des composants ŕ semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caractéristiques statiques, dynamiques, et thermiques des meilleurs composants comme SiC-JFET, SiC diode Schottky et le SiC-MOSFET, de puissance commercialisés de différent constructeurs en raison d'élaborer un plan de choix guidant les concepteurs des circuits d'électronique de puissance de sélectionner le composant le plus adapté ŕ leur cahier de charge selon leurs objectifs et selon les performances de leurs convertisseurs de puissance.
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